PHILLIPTECH石英晶體TAN05RCIG

這些 5.000 MHz RC（輻射補償）AT 切割石英晶體由 Phillip Technologies 設計，可在熱應力下保持測量精度和頻率穩定性。它們采用雙錨電極模式，與 Inficon、Maxtek、Sigma Instruments 和 Sycon 沉積控制器和 QCM 系統完全兼容。

RC 技術(shù)解決了標準晶體在高能沉積環(huán)境中的局限性。這些晶體與等離子體兼容，對應力不敏感，并且不會(huì )受到熱輻射引起的漂移的影響，是 ALD、CVD、濺射和高溫 PVD 等要求苛刻的薄膜工藝的理想選擇。

• 抗輻射熱和源通量造成的頻率偏移。
• 消除快門(mén)打開(kāi)或等離子點(diǎn)火造成的誤報率峰值。
• 在溫度循環(huán)、離子轟擊和薄膜應力作用下保持穩定。
• 為高精度涂層中的納米級控制提供純凈數據。
• 這些晶體對于在熱條件下可靠性至關(guān)重要的任何應用都是必不可少的。

可提供金、銀或鋁電極：

金(Au)：耐化學(xué)腐蝕性和熱穩定性--適用于 ALD 和侵蝕性蒸汽環(huán)境

銀(Ag)：Q 因子--適合超潔凈光學(xué)或半導體薄膜工作

鋁(Al)：與石英的熱匹配性強--適合高溫鋁沉積或抗氧化用途

每個(gè)涂層都是真空沉積的，對附著(zhù)力、均勻性和邊緣清潔度都有嚴格的質(zhì)量控制。

產(chǎn)地：美國

頻率：5.000 MHz ±75 Hz

晶體切割：AT（RC 配方）

直徑：14 毫米

電極模式： 雙錨（Inficon 式）

工作溫度范圍： 100°C 至 300°C

表面處理：研磨

Q 因子：>70,000 典型值

應力敏感性：非常低

包裝尺寸：10個(gè)晶體

ALD 和 CVD 薄膜監控

高溫 PVD 和濺射

光學(xué)涂層沉積

半導體和 OLED 制造

熱循環(huán)和重輻射環(huán)境

晶體穩定性要求超過(guò) 100°C 的系統